IXTH5N100A
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
Artikelnummer
IXTH5N100A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20489 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH5N100A
IXTH5N100A Elektroniska komponenter
IXTH5N100A Försäljning
IXTH5N100A Leverantör
IXTH5N100A Distributör
IXTH5N100A Datatabell
IXTH5N100A Foton
IXTH5N100A Pris
IXTH5N100A Erbjudande
IXTH5N100A Lägsta pris
IXTH5N100A Sök
IXTH5N100A Köp av
IXTH5N100A Chip