IXTH50N30
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
Artikelnummer
IXTH50N30
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53308 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH50N30
IXTH50N30 Elektroniska komponenter
IXTH50N30 Försäljning
IXTH50N30 Leverantör
IXTH50N30 Distributör
IXTH50N30 Datatabell
IXTH50N30 Foton
IXTH50N30 Pris
IXTH50N30 Erbjudande
IXTH50N30 Lägsta pris
IXTH50N30 Sök
IXTH50N30 Köp av
IXTH50N30 Chip