IXTH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
Artikelnummer
IXTH50N20
Tillverkare/varumärke
Serier
MegaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16068 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH50N20
IXTH50N20 Elektroniska komponenter
IXTH50N20 Försäljning
IXTH50N20 Leverantör
IXTH50N20 Distributör
IXTH50N20 Datatabell
IXTH50N20 Foton
IXTH50N20 Pris
IXTH50N20 Erbjudande
IXTH50N20 Lägsta pris
IXTH50N20 Sök
IXTH50N20 Köp av
IXTH50N20 Chip