IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Artikelnummer
IXTH3N200P3HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
520W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
2000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34245 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV Elektroniska komponenter
IXTH3N200P3HV Försäljning
IXTH3N200P3HV Leverantör
IXTH3N200P3HV Distributör
IXTH3N200P3HV Datatabell
IXTH3N200P3HV Foton
IXTH3N200P3HV Pris
IXTH3N200P3HV Erbjudande
IXTH3N200P3HV Lägsta pris
IXTH3N200P3HV Sök
IXTH3N200P3HV Köp av
IXTH3N200P3HV Chip