IXTH3N150
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247
Artikelnummer
IXTH3N150
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1375pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17927 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH3N150
IXTH3N150 Elektroniska komponenter
IXTH3N150 Försäljning
IXTH3N150 Leverantör
IXTH3N150 Distributör
IXTH3N150 Datatabell
IXTH3N150 Foton
IXTH3N150 Pris
IXTH3N150 Erbjudande
IXTH3N150 Lägsta pris
IXTH3N150 Sök
IXTH3N150 Köp av
IXTH3N150 Chip