Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTH36N50P

IXTH36N50P

MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
Artikelnummer
IXTH36N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
540W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17675 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTH36N50P
IXTH36N50P Elektroniska komponenter
IXTH36N50P Försäljning
IXTH36N50P Leverantör
IXTH36N50P Distributör
IXTH36N50P Datatabell
IXTH36N50P Foton
IXTH36N50P Pris
IXTH36N50P Erbjudande
IXTH36N50P Lägsta pris
IXTH36N50P Sök
IXTH36N50P Köp av
IXTH36N50P Chip