IXTH30N50
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Artikelnummer
IXTH30N50
Tillverkare/varumärke
Serier
MegaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
227nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5680pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44959 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH30N50
IXTH30N50 Elektroniska komponenter
IXTH30N50 Försäljning
IXTH30N50 Leverantör
IXTH30N50 Distributör
IXTH30N50 Datatabell
IXTH30N50 Foton
IXTH30N50 Pris
IXTH30N50 Erbjudande
IXTH30N50 Lägsta pris
IXTH30N50 Sök
IXTH30N50 Köp av
IXTH30N50 Chip