IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
Artikelnummer
IXTH2N170D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
568W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5770 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH2N170D2
IXTH2N170D2 Elektroniska komponenter
IXTH2N170D2 Försäljning
IXTH2N170D2 Leverantör
IXTH2N170D2 Distributör
IXTH2N170D2 Datatabell
IXTH2N170D2 Foton
IXTH2N170D2 Pris
IXTH2N170D2 Erbjudande
IXTH2N170D2 Lägsta pris
IXTH2N170D2 Sök
IXTH2N170D2 Köp av
IXTH2N170D2 Chip