IXTH2N150L
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
Artikelnummer
IXTH2N150L
Tillverkare/varumärke
Serier
Linear L2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
290W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 1A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
8.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25896 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH2N150L
IXTH2N150L Elektroniska komponenter
IXTH2N150L Försäljning
IXTH2N150L Leverantör
IXTH2N150L Distributör
IXTH2N150L Datatabell
IXTH2N150L Foton
IXTH2N150L Pris
IXTH2N150L Erbjudande
IXTH2N150L Lägsta pris
IXTH2N150L Sök
IXTH2N150L Köp av
IXTH2N150L Chip