IXTH200N085T
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
Artikelnummer
IXTH200N085T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
480W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
85V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16575 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH200N085T
IXTH200N085T Elektroniska komponenter
IXTH200N085T Försäljning
IXTH200N085T Leverantör
IXTH200N085T Distributör
IXTH200N085T Datatabell
IXTH200N085T Foton
IXTH200N085T Pris
IXTH200N085T Erbjudande
IXTH200N085T Lägsta pris
IXTH200N085T Sök
IXTH200N085T Köp av
IXTH200N085T Chip