IXTH1N450HV
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Artikelnummer
IXTH1N450HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
TO-247HV
Effektförlust (max)
520W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
4500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38885 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH1N450HV
IXTH1N450HV Elektroniska komponenter
IXTH1N450HV Försäljning
IXTH1N450HV Leverantör
IXTH1N450HV Distributör
IXTH1N450HV Datatabell
IXTH1N450HV Foton
IXTH1N450HV Pris
IXTH1N450HV Erbjudande
IXTH1N450HV Lägsta pris
IXTH1N450HV Sök
IXTH1N450HV Köp av
IXTH1N450HV Chip