IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
Artikelnummer
IXTH1N200P3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
2000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25200 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH1N200P3
IXTH1N200P3 Elektroniska komponenter
IXTH1N200P3 Försäljning
IXTH1N200P3 Leverantör
IXTH1N200P3 Distributör
IXTH1N200P3 Datatabell
IXTH1N200P3 Foton
IXTH1N200P3 Pris
IXTH1N200P3 Erbjudande
IXTH1N200P3 Lägsta pris
IXTH1N200P3 Sök
IXTH1N200P3 Köp av
IXTH1N200P3 Chip