IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTH1N170DHV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
TO-247HV
Effektförlust (max)
290W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38002 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV Elektroniska komponenter
IXTH1N170DHV Försäljning
IXTH1N170DHV Leverantör
IXTH1N170DHV Distributör
IXTH1N170DHV Datatabell
IXTH1N170DHV Foton
IXTH1N170DHV Pris
IXTH1N170DHV Erbjudande
IXTH1N170DHV Lägsta pris
IXTH1N170DHV Sök
IXTH1N170DHV Köp av
IXTH1N170DHV Chip