IXTH150N17T
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
Artikelnummer
IXTH150N17T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchHV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
830W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
175V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21586 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH150N17T
IXTH150N17T Elektroniska komponenter
IXTH150N17T Försäljning
IXTH150N17T Leverantör
IXTH150N17T Distributör
IXTH150N17T Datatabell
IXTH150N17T Foton
IXTH150N17T Pris
IXTH150N17T Erbjudande
IXTH150N17T Lägsta pris
IXTH150N17T Sök
IXTH150N17T Köp av
IXTH150N17T Chip