IXTH130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
Artikelnummer
IXTH130N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18747 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH130N10T
IXTH130N10T Elektroniska komponenter
IXTH130N10T Försäljning
IXTH130N10T Leverantör
IXTH130N10T Distributör
IXTH130N10T Datatabell
IXTH130N10T Foton
IXTH130N10T Pris
IXTH130N10T Erbjudande
IXTH130N10T Lägsta pris
IXTH130N10T Sök
IXTH130N10T Köp av
IXTH130N10T Chip