IXTH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
Artikelnummer
IXTH12N90
Tillverkare/varumärke
Serier
MegaMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47202 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH12N90
IXTH12N90 Elektroniska komponenter
IXTH12N90 Försäljning
IXTH12N90 Leverantör
IXTH12N90 Distributör
IXTH12N90 Datatabell
IXTH12N90 Foton
IXTH12N90 Pris
IXTH12N90 Erbjudande
IXTH12N90 Lägsta pris
IXTH12N90 Sök
IXTH12N90 Köp av
IXTH12N90 Chip