IXTH120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Artikelnummer
IXTH120P065T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
298W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
65V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37080 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH120P065T
IXTH120P065T Elektroniska komponenter
IXTH120P065T Försäljning
IXTH120P065T Leverantör
IXTH120P065T Distributör
IXTH120P065T Datatabell
IXTH120P065T Foton
IXTH120P065T Pris
IXTH120P065T Erbjudande
IXTH120P065T Lägsta pris
IXTH120P065T Sök
IXTH120P065T Köp av
IXTH120P065T Chip