IXTH11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
Artikelnummer
IXTH11P50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 (IXTH)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36330 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH11P50
IXTH11P50 Elektroniska komponenter
IXTH11P50 Försäljning
IXTH11P50 Leverantör
IXTH11P50 Distributör
IXTH11P50 Datatabell
IXTH11P50 Foton
IXTH11P50 Pris
IXTH11P50 Erbjudande
IXTH11P50 Lägsta pris
IXTH11P50 Sök
IXTH11P50 Köp av
IXTH11P50 Chip