IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Artikelnummer
IXTH10N100D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
695W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5320pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8824 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 Elektroniska komponenter
IXTH10N100D2 Försäljning
IXTH10N100D2 Leverantör
IXTH10N100D2 Distributör
IXTH10N100D2 Datatabell
IXTH10N100D2 Foton
IXTH10N100D2 Pris
IXTH10N100D2 Erbjudande
IXTH10N100D2 Lägsta pris
IXTH10N100D2 Sök
IXTH10N100D2 Köp av
IXTH10N100D2 Chip