IXTF2N300P3
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTF2N300P3
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS i4-PAC™
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
3000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54924 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTF2N300P3
IXTF2N300P3 Elektroniska komponenter
IXTF2N300P3 Försäljning
IXTF2N300P3 Leverantör
IXTF2N300P3 Distributör
IXTF2N300P3 Datatabell
IXTF2N300P3 Foton
IXTF2N300P3 Pris
IXTF2N300P3 Erbjudande
IXTF2N300P3 Lägsta pris
IXTF2N300P3 Sök
IXTF2N300P3 Köp av
IXTF2N300P3 Chip