IXTF1R4N450
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Artikelnummer
IXTF1R4N450
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS i4-PAC™
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
4500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33750 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTF1R4N450
IXTF1R4N450 Elektroniska komponenter
IXTF1R4N450 Försäljning
IXTF1R4N450 Leverantör
IXTF1R4N450 Distributör
IXTF1R4N450 Datatabell
IXTF1R4N450 Foton
IXTF1R4N450 Pris
IXTF1R4N450 Erbjudande
IXTF1R4N450 Lägsta pris
IXTF1R4N450 Sök
IXTF1R4N450 Köp av
IXTF1R4N450 Chip