IXTF200N10T
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
Artikelnummer
IXTF200N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
i4-Pac™-5
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS i4-PAC™
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6022 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTF200N10T
IXTF200N10T Elektroniska komponenter
IXTF200N10T Försäljning
IXTF200N10T Leverantör
IXTF200N10T Distributör
IXTF200N10T Datatabell
IXTF200N10T Foton
IXTF200N10T Pris
IXTF200N10T Erbjudande
IXTF200N10T Lägsta pris
IXTF200N10T Sök
IXTF200N10T Köp av
IXTF200N10T Chip