Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTD3N50P-2J
MOSFET N-CH 500
Artikelnummer
IXTD3N50P-2J
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
70W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
409pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28924 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTD3N50P-2J
IXTD3N50P-2J Elektroniska komponenter
IXTD3N50P-2J Försäljning
IXTD3N50P-2J Leverantör
IXTD3N50P-2J Distributör
IXTD3N50P-2J Datatabell
IXTD3N50P-2J Foton
IXTD3N50P-2J Pris
IXTD3N50P-2J Erbjudande
IXTD3N50P-2J Lägsta pris
IXTD3N50P-2J Sök
IXTD3N50P-2J Köp av
IXTD3N50P-2J Chip