Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTD1R4N60P 11
MOSFET N-CH 600V
Artikelnummer
IXTD1R4N60P 11
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48823 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTD1R4N60P 11
IXTD1R4N60P 11 Elektroniska komponenter
IXTD1R4N60P 11 Försäljning
IXTD1R4N60P 11 Leverantör
IXTD1R4N60P 11 Distributör
IXTD1R4N60P 11 Datatabell
IXTD1R4N60P 11 Foton
IXTD1R4N60P 11 Pris
IXTD1R4N60P 11 Erbjudande
IXTD1R4N60P 11 Lägsta pris
IXTD1R4N60P 11 Sök
IXTD1R4N60P 11 Köp av
IXTD1R4N60P 11 Chip