IXTB62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Artikelnummer
IXTB62N50L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
800W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 31A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
550nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35115 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTB62N50L
IXTB62N50L Elektroniska komponenter
IXTB62N50L Försäljning
IXTB62N50L Leverantör
IXTB62N50L Distributör
IXTB62N50L Datatabell
IXTB62N50L Foton
IXTB62N50L Pris
IXTB62N50L Erbjudande
IXTB62N50L Lägsta pris
IXTB62N50L Sök
IXTB62N50L Köp av
IXTB62N50L Chip