IXTB30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Artikelnummer
IXTB30N100L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-264-3, TO-264AA
Leverantörsenhetspaket
PLUS264™
Effektförlust (max)
800W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
545nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10503 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTB30N100L
IXTB30N100L Elektroniska komponenter
IXTB30N100L Försäljning
IXTB30N100L Leverantör
IXTB30N100L Distributör
IXTB30N100L Datatabell
IXTB30N100L Foton
IXTB30N100L Pris
IXTB30N100L Erbjudande
IXTB30N100L Lägsta pris
IXTB30N100L Sök
IXTB30N100L Köp av
IXTB30N100L Chip