IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
Artikelnummer
IXTA8N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38994 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA8N65X2
IXTA8N65X2 Elektroniska komponenter
IXTA8N65X2 Försäljning
IXTA8N65X2 Leverantör
IXTA8N65X2 Distributör
IXTA8N65X2 Datatabell
IXTA8N65X2 Foton
IXTA8N65X2 Pris
IXTA8N65X2 Erbjudande
IXTA8N65X2 Lägsta pris
IXTA8N65X2 Sök
IXTA8N65X2 Köp av
IXTA8N65X2 Chip