IXTA08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Artikelnummer
IXTA08N100D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42355 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA08N100D2
IXTA08N100D2 Elektroniska komponenter
IXTA08N100D2 Försäljning
IXTA08N100D2 Leverantör
IXTA08N100D2 Distributör
IXTA08N100D2 Datatabell
IXTA08N100D2 Foton
IXTA08N100D2 Pris
IXTA08N100D2 Erbjudande
IXTA08N100D2 Lägsta pris
IXTA08N100D2 Sök
IXTA08N100D2 Köp av
IXTA08N100D2 Chip