IXTA05N100HV
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Artikelnummer
IXTA05N100HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
750mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12166 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA05N100HV
IXTA05N100HV Elektroniska komponenter
IXTA05N100HV Försäljning
IXTA05N100HV Leverantör
IXTA05N100HV Distributör
IXTA05N100HV Datatabell
IXTA05N100HV Foton
IXTA05N100HV Pris
IXTA05N100HV Erbjudande
IXTA05N100HV Lägsta pris
IXTA05N100HV Sök
IXTA05N100HV Köp av
IXTA05N100HV Chip