IXTA80N10T7
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
Artikelnummer
IXTA80N10T7
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Leverantörsenhetspaket
TO-263-7 (IXTA..7)
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3040pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52503 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA80N10T7
IXTA80N10T7 Elektroniska komponenter
IXTA80N10T7 Försäljning
IXTA80N10T7 Leverantör
IXTA80N10T7 Distributör
IXTA80N10T7 Datatabell
IXTA80N10T7 Foton
IXTA80N10T7 Pris
IXTA80N10T7 Erbjudande
IXTA80N10T7 Lägsta pris
IXTA80N10T7 Sök
IXTA80N10T7 Köp av
IXTA80N10T7 Chip