Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTA52P10P

IXTA52P10P

MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
Artikelnummer
IXTA52P10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2845pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34603 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTA52P10P
IXTA52P10P Elektroniska komponenter
IXTA52P10P Försäljning
IXTA52P10P Leverantör
IXTA52P10P Distributör
IXTA52P10P Datatabell
IXTA52P10P Foton
IXTA52P10P Pris
IXTA52P10P Erbjudande
IXTA52P10P Lägsta pris
IXTA52P10P Sök
IXTA52P10P Köp av
IXTA52P10P Chip