IXTA50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
Artikelnummer
IXTA50N25T
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19000 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA50N25T
IXTA50N25T Elektroniska komponenter
IXTA50N25T Försäljning
IXTA50N25T Leverantör
IXTA50N25T Distributör
IXTA50N25T Datatabell
IXTA50N25T Foton
IXTA50N25T Pris
IXTA50N25T Erbjudande
IXTA50N25T Lägsta pris
IXTA50N25T Sök
IXTA50N25T Köp av
IXTA50N25T Chip