IXTA4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
Artikelnummer
IXTA4N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
635pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33275 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA4N60P
IXTA4N60P Elektroniska komponenter
IXTA4N60P Försäljning
IXTA4N60P Leverantör
IXTA4N60P Distributör
IXTA4N60P Datatabell
IXTA4N60P Foton
IXTA4N60P Pris
IXTA4N60P Erbjudande
IXTA4N60P Lägsta pris
IXTA4N60P Sök
IXTA4N60P Köp av
IXTA4N60P Chip