IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
Artikelnummer
IXTA3N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
70W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
411pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18481 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA3N60P
IXTA3N60P Elektroniska komponenter
IXTA3N60P Försäljning
IXTA3N60P Leverantör
IXTA3N60P Distributör
IXTA3N60P Datatabell
IXTA3N60P Foton
IXTA3N60P Pris
IXTA3N60P Erbjudande
IXTA3N60P Lägsta pris
IXTA3N60P Sök
IXTA3N60P Köp av
IXTA3N60P Chip