Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTA3N50P

IXTA3N50P

MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
Artikelnummer
IXTA3N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
70W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
409pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20145 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTA3N50P
IXTA3N50P Elektroniska komponenter
IXTA3N50P Försäljning
IXTA3N50P Leverantör
IXTA3N50P Distributör
IXTA3N50P Datatabell
IXTA3N50P Foton
IXTA3N50P Pris
IXTA3N50P Erbjudande
IXTA3N50P Lägsta pris
IXTA3N50P Sök
IXTA3N50P Köp av
IXTA3N50P Chip