IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTA3N100D2HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263HV
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42704 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV Elektroniska komponenter
IXTA3N100D2HV Försäljning
IXTA3N100D2HV Leverantör
IXTA3N100D2HV Distributör
IXTA3N100D2HV Datatabell
IXTA3N100D2HV Foton
IXTA3N100D2HV Pris
IXTA3N100D2HV Erbjudande
IXTA3N100D2HV Lägsta pris
IXTA3N100D2HV Sök
IXTA3N100D2HV Köp av
IXTA3N100D2HV Chip