IXTA32N20T
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
Artikelnummer
IXTA32N20T
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1760pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49376 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA32N20T
IXTA32N20T Elektroniska komponenter
IXTA32N20T Försäljning
IXTA32N20T Leverantör
IXTA32N20T Distributör
IXTA32N20T Datatabell
IXTA32N20T Foton
IXTA32N20T Pris
IXTA32N20T Erbjudande
IXTA32N20T Lägsta pris
IXTA32N20T Sök
IXTA32N20T Köp av
IXTA32N20T Chip