IXTA2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
Artikelnummer
IXTA2N80P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
70W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24144 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA2N80P
IXTA2N80P Elektroniska komponenter
IXTA2N80P Försäljning
IXTA2N80P Leverantör
IXTA2N80P Distributör
IXTA2N80P Datatabell
IXTA2N80P Foton
IXTA2N80P Pris
IXTA2N80P Erbjudande
IXTA2N80P Lägsta pris
IXTA2N80P Sök
IXTA2N80P Köp av
IXTA2N80P Chip