Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
Artikelnummer
IXTA1R6N50D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23.7nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24161 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTA1R6N50D2
IXTA1R6N50D2 Elektroniska komponenter
IXTA1R6N50D2 Försäljning
IXTA1R6N50D2 Leverantör
IXTA1R6N50D2 Distributör
IXTA1R6N50D2 Datatabell
IXTA1R6N50D2 Foton
IXTA1R6N50D2 Pris
IXTA1R6N50D2 Erbjudande
IXTA1R6N50D2 Lägsta pris
IXTA1R6N50D2 Sök
IXTA1R6N50D2 Köp av
IXTA1R6N50D2 Chip