IXTA1R6N100D2HV
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTA1R6N100D2HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263HV
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8784 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV Elektroniska komponenter
IXTA1R6N100D2HV Försäljning
IXTA1R6N100D2HV Leverantör
IXTA1R6N100D2HV Distributör
IXTA1R6N100D2HV Datatabell
IXTA1R6N100D2HV Foton
IXTA1R6N100D2HV Pris
IXTA1R6N100D2HV Erbjudande
IXTA1R6N100D2HV Lägsta pris
IXTA1R6N100D2HV Sök
IXTA1R6N100D2HV Köp av
IXTA1R6N100D2HV Chip