IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
Artikelnummer
IXTA1R4N100P
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28224 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA1R4N100P
IXTA1R4N100P Elektroniska komponenter
IXTA1R4N100P Försäljning
IXTA1R4N100P Leverantör
IXTA1R4N100P Distributör
IXTA1R4N100P Datatabell
IXTA1R4N100P Foton
IXTA1R4N100P Pris
IXTA1R4N100P Erbjudande
IXTA1R4N100P Lägsta pris
IXTA1R4N100P Sök
IXTA1R4N100P Köp av
IXTA1R4N100P Chip