IXTA1N80
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
Artikelnummer
IXTA1N80
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
750mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19878 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA1N80
IXTA1N80 Elektroniska komponenter
IXTA1N80 Försäljning
IXTA1N80 Leverantör
IXTA1N80 Distributör
IXTA1N80 Datatabell
IXTA1N80 Foton
IXTA1N80 Pris
IXTA1N80 Erbjudande
IXTA1N80 Lägsta pris
IXTA1N80 Sök
IXTA1N80 Köp av
IXTA1N80 Chip