IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Artikelnummer
IXTA1N170DHV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263
Effektförlust (max)
290W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40789 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV Elektroniska komponenter
IXTA1N170DHV Försäljning
IXTA1N170DHV Leverantör
IXTA1N170DHV Distributör
IXTA1N170DHV Datatabell
IXTA1N170DHV Foton
IXTA1N170DHV Pris
IXTA1N170DHV Erbjudande
IXTA1N170DHV Lägsta pris
IXTA1N170DHV Sök
IXTA1N170DHV Köp av
IXTA1N170DHV Chip