IXTA18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Artikelnummer
IXTA18P10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50788 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA18P10T
IXTA18P10T Elektroniska komponenter
IXTA18P10T Försäljning
IXTA18P10T Leverantör
IXTA18P10T Distributör
IXTA18P10T Datatabell
IXTA18P10T Foton
IXTA18P10T Pris
IXTA18P10T Erbjudande
IXTA18P10T Lägsta pris
IXTA18P10T Sök
IXTA18P10T Köp av
IXTA18P10T Chip