IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263
Artikelnummer
IXTA130N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
360W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23276 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA130N10T
IXTA130N10T Elektroniska komponenter
IXTA130N10T Försäljning
IXTA130N10T Leverantör
IXTA130N10T Distributör
IXTA130N10T Datatabell
IXTA130N10T Foton
IXTA130N10T Pris
IXTA130N10T Erbjudande
IXTA130N10T Lägsta pris
IXTA130N10T Sök
IXTA130N10T Köp av
IXTA130N10T Chip