IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
Artikelnummer
IXTA08N120P
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXTA)
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
333pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40208 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTA08N120P
IXTA08N120P Elektroniska komponenter
IXTA08N120P Försäljning
IXTA08N120P Leverantör
IXTA08N120P Distributör
IXTA08N120P Datatabell
IXTA08N120P Foton
IXTA08N120P Pris
IXTA08N120P Erbjudande
IXTA08N120P Lägsta pris
IXTA08N120P Sök
IXTA08N120P Köp av
IXTA08N120P Chip