IXKC25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
Artikelnummer
IXKC25N80C
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS220™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS220™
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35517 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXKC25N80C
IXKC25N80C Elektroniska komponenter
IXKC25N80C Försäljning
IXKC25N80C Leverantör
IXKC25N80C Distributör
IXKC25N80C Datatabell
IXKC25N80C Foton
IXKC25N80C Pris
IXKC25N80C Erbjudande
IXKC25N80C Lägsta pris
IXKC25N80C Sök
IXKC25N80C Köp av
IXKC25N80C Chip