IXKC19N60C5
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Artikelnummer
IXKC19N60C5
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS220™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS220™
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54322 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXKC19N60C5
IXKC19N60C5 Elektroniska komponenter
IXKC19N60C5 Försäljning
IXKC19N60C5 Leverantör
IXKC19N60C5 Distributör
IXKC19N60C5 Datatabell
IXKC19N60C5 Foton
IXKC19N60C5 Pris
IXKC19N60C5 Erbjudande
IXKC19N60C5 Lägsta pris
IXKC19N60C5 Sök
IXKC19N60C5 Köp av
IXKC19N60C5 Chip