IXFE180N20
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
Artikelnummer
IXFE180N20
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
158A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29391 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFE180N20
IXFE180N20 Elektroniska komponenter
IXFE180N20 Försäljning
IXFE180N20 Leverantör
IXFE180N20 Distributör
IXFE180N20 Datatabell
IXFE180N20 Foton
IXFE180N20 Pris
IXFE180N20 Erbjudande
IXFE180N20 Lägsta pris
IXFE180N20 Sök
IXFE180N20 Köp av
IXFE180N20 Chip