IXFE180N10
MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
Artikelnummer
IXFE180N10
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
176A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14667 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFE180N10
IXFE180N10 Elektroniska komponenter
IXFE180N10 Försäljning
IXFE180N10 Leverantör
IXFE180N10 Distributör
IXFE180N10 Datatabell
IXFE180N10 Foton
IXFE180N10 Pris
IXFE180N10 Erbjudande
IXFE180N10 Lägsta pris
IXFE180N10 Sök
IXFE180N10 Köp av
IXFE180N10 Chip